规格大解析 内存一开始就叫“DDR”？

内存的封装

在内存进化的长河中，制造工艺和封装技术是影响内存进步的两大关键因素之一。从早期的1.5μm(微米)到0.35μm，再到DDR内存颗粒广泛采用0.13μm制造工艺，DDR2颗粒采用的0.09μm制造工艺，以及DDR3颗粒采用的65nm(纳米)制造工艺(1μm＝1000nm)。随制造工艺的进步，内存的电气性能变得越来越好，成本也得以不断降低。

在封装方式上，早期的FPM内存一般采用DIP(Dual ln-line Package，双列直插式封装)封装。而在这之后，TSOP(Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装)的产品成为主流，其代表作就是SDRAM、DDR内存。从DDR2内存开始，BGA(Ball Grid Array Package，球栅阵列封装)及其演进版本的封装技术开始日渐流行。此外，还有更新型的CSP(Chip Scale Package，芯片级封装)，其工艺水准更高，可以说CSP是缩小了的BGA，可提供比BGA更高的组装密度。

图10 CSP封装内存颗粒不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的有效散热路径可小于0.2mm，可大大提高内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也可随之得到大幅度提高。

笔记本电脑内存和服务器内存

虽然本文主要基于台式机内存作介绍，但在内存阵营里还有笔记本电脑内存和服务器内存之别。各种笔记本电脑内存在技术上和同时代同规范的台式机内存一样，主要差别在于其更紧凑针脚更紧密，拥有体积小、容量大、速度快、耗电低、散热好等特性。服务器内存则主要在于加入了如ECC(检测数据错误并进行纠错)、ChipKill(比ECC更先进的技术，可同时检查并修复4个错误数据位)、热插拔技术等，具有更高的稳定性。

图8 金士顿DDR3 1333笔记本电脑内存

图9 服务器内存更强调稳定性

本期学到了什么

●内存一开始并不叫“DDR”，FPM、EDO、SDRAM都是曾经用过的称谓。

●跨入DDR时代后，内存的工作频率就逐步开始了成倍或数倍的增长。

●安装内存要对应好插槽，虽然内存条和插槽都有防呆设计，但我们身边因安装不当造成“条”毁“板”亡的例子并不少见。

●不断进步的制造工艺和封装技术，让内存的电气性能越来越好，成本也得以降低。