尔必达开始试产30nm制程4GB DDR3内存
2010-12-22小烈MCPLive.cn
尔必达日前宣布，正在试产全新的4GB DDR3 SO-DIMM产品，该系列产品由30nm制程2GB DDR3 SDRAM的DRAM产品组成，其中2GB芯片的工作频率高可达1866 MHz。与40nm DRAM产品相比，30nm制程新品可减少20%工作电流以及30%的待机电流。
该30nm 4GB SO-DIMM的产品型号为EBJ41UF8BDS0，预计2011年第一季度上市。
