NAND闪存因为存储容量大,以及近年来逐步亲民化的价格,在大众心中深得喜爱。虽然之前就已有专家们对于NAND的未来提出质疑,但由于研究成本费用过高,多半都是纸上谈兵。
日前美国一家“统一半导体”公司就公开对外声明,他们正开发出一种新技术来制造比闪存容量更大、读写速度更快的新型存储器,并计划2011年量产。这款新型存储器的单位存储密度有望达到现有NAND型闪存芯片的4倍,存储数据的速度有可能达到后者的5倍到10倍。
据称之所以这家公司这么大手笔,背后也有巨额的风险投资,所以能不能翻本就看这一招啦!