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记忆式电阻 颠覆PC架构的革命?

2012-08-02金灿《微型计算机》2012年8月上

革了NAND的命

40年后,这项理论研究终于被业界所关注,实际上这是个意外。惠普实验室的斯坦·威廉斯等人只是在进行一项名为Crossbar Latch的技术研究。Crossbar Latch将电线纵横交错组成网格,在每个交叉点上需要一个“开关”来连接纵横的两条电线。如果能让这两条电线控制“开关”的状态,那么网格上的每一个交叉点都能储存1bit数据。这种技术下数据密度和存取速度都是前所未闻的,但这个开关该用什么材料来做?这种材料必须有允许或阻止电流通过的两个状态,并且这种状态可被操纵——这种构想有点太理想化了,威廉斯等人很头痛。不过他们在研究二氧化钛的时候发现,二氧化钛薄膜在电场作用下会产生电阻变化,从而想起这似乎就是传说中的“忆阻效应”。2008年4月,威廉斯等人将一层二氧化钛薄膜夹在两个由铂制成的金属薄片之间,首次做出了忆阻的实物模型。由此可见,从基础理论研究到实际生产,真是需要足够的耐心。这项技术近40年都无人问津,以至于当惠普实验室与蔡教授联系时,还让他吃了一惊。

随后松下、富士通、索尼、美光、尔必达等大厂纷纷投身其中,忆阻成为了热门技术。研究人员认为基于忆阻能够给现代PC带来革命性变革。因为它的优点非常明显:

制造简单:和越来越步履维艰的半导体制造工艺不同,通过传统的光刻技术,将二氧化钛制成微型导线纵横交错相交,就能制造出忆阻。

性能强悍:现在先进的闪存制造工艺也才到22nm,而惠普的忆阻模型里面的“开关”仅3nm,并且忆阻很容易堆栈形成立体的存储结构,从而实现理论上每平方厘米100GB、每立方厘米1PB(1PB=1024TB)的惊天存储密度。“开关”的切换速度仅为1ns,已经超越了NAND闪存,性能直逼DRAM。此外,基于忆阻的ReRAM存储芯片几乎是能够不限次数地擦写数据——三星近期推出的ReRAM可擦写次数为1012(1万亿)次,比NAND可靠得太多了。

记性特好:忆阻能够让电脑“记忆”先前处理的事情,并在断电后仍保持这种“记忆”。这让启动电脑能跟打开电灯一样快。笔记本电脑及其他掌上设备的续航时间会更长,并且就算拔掉电池很久之后仍能保持上次使用的信息。

目前,忆阻还有一些问题需要解决。其中重要的就是要减少忆阻的擦写电流大小。伴随着高速的存取操作,忆阻阻值会出现波动,这种波动会降低ReRAM的品质。富士通实验室通过在氧化镍层里掺杂钛并对晶体管进行限流后,成功地将擦除电流降低到了100μA以下,阻抗波动也减少了九成。

2010年8月,惠普与海力士合作开发出基于忆阻的ReRAM芯片;2012年5月,伦敦大学电子和电气工程学院公布了业界第一个纯粹基于氧化硅的ReRAM芯片;松下宣布会在2013年开始量产ReRAM。首批ReRAM将采用早已淘汰的0.18μm制作工艺,容量为128KB,可用于火警报警系统等需要高响应速度但构造简单的设备中使用。惠普预计未来3年内,可以实现4层25nm制造工艺,所生产的ReRAM存储密度高达每平方厘米20GB。

忆阻的广阔天地

显然,仅仅用于生产ReRAM并不能满足忆阻的雄心壮志。惠普在研究 Crossbar Latch时就已经断言,这种网格结构由于在每个交叉点都有开关,因此能够模拟一些逻辑电路。惠普还提到过如何模拟AND、OR 和 NOT 三大逻辑门,从而执行加法运算之类的功能。照这样的趋势发展下去十分有趣,存储设备自身就可以进行数据处理,也许那个时候的“硬盘”会自主决定,自身哪些地方用于处理数据,哪些地方用来存储数据。

图3.惠普的Crossbar Latch作品外观及原理图。外观看起来像是在织网,但这东西却是存储领域的革命。
图3.惠普的Crossbar Latch作品外观及原理图。外观看起来像是在织网,但这东西却是存储领域的革命。

这种特性还带来了另一个惊人作用,就是可以模拟人脑运作机制。蔡教授曾指出,人脑其实就是典型的忆阻型逻辑架构。神经元以网络的方式相互联系在一起,各个神经元既能存储数据,又能处理数据——当然人脑里面不能叫数据,但原理相同。同时,忆阻能够记忆流经它的电荷数量,这种记忆并非二进制内非0即1的状态,而是包括了从0到1的所有过渡状态,这就类似于人类大脑搜集、理解一系列事情的模式。因此,基于忆阻架构的电脑将与冯·诺依曼架构的电脑完全不同,会更加接近于人脑,研究人员更容易以此构建出具有人脑仿生功能的硬件。你要问这种硬件有什么用?太多了,举例来说,图形识别和自我学习对于现在的PC而言是非常困难的事情,不论程序员们如何改进代码也很难实现。而如果PC采用了忆阻架构,就简单多了(笔者立刻想起了《终结者》里的天网……)。

总之,前途是光明的,道路是曲折的。忆阻有望结束晶体管一统天下的时代,其意义不亚于从电子管到晶体管的跨越。当然,要用忆阻模拟人脑还为时尚早,但用来存储数据很快就能实现。惠普已经宣布2013年要和海力士合作生产基于忆阻的存储设备,与闪存竞争。但从闪存目前的地位来说,这必然是一个缓慢的过程。不过忆阻表现出了如此多优秀的特征,足够给电脑带来革命性的变革。让我们期待开电脑像开灯一样快,期待人和电脑能够交流吧。

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