日立发布首款25nm工艺固态硬盘

一般来说，半导体工艺总是越新越好，但是因为长期使用可靠性无法得到足够的保障，25nm NAND闪存受到了不少用户的质疑，不少新工艺固态硬盘的读写次数指标甚至还不如老的34nm产品。

今天，日立环球存储发布了第一款采用25nm NAND闪存的企业级固态硬盘“Ultrastar SSD400S.B”，证明新闪存仍然可以用在对可靠性要求非常严格的地方，可满足高性能的企业级存储需要。

Ultrastar SSD400S.B采用2.5寸规格，不过比较“厚重”，长宽高尺寸分别为100.6×70.1×15毫米，重量约222克。它使用的是25nm SLC单层闪存芯片，容量100GB、200GB、400GB，接口SAS 6Gbps，可靠性方面不可恢复错误率1/1016，平均故障间隔时间200万小时，支持24×7连续工作，终生大随机写入数据量三种型号分别为9PB、18PB、35PB。

性能上，64K持续读写速度高分别可达536MB/s、502MB/s，4K随机读写速度则是高57500 IOPS、25500 IOPS。

另外功耗在待机时平均为1.7W，读写操作时典型5.5W，能耗比8360 IOPS/W。

日立表示，这种固态硬盘适用于多种企业级场合，包括企业服务器、高性能计算系统、空间和/或功耗受限环境、在线交易处理、视频编辑、金融财务与电子商务、数据库分析、云计算等等。

日立Ultrastar SSD400S.B正在接受OEM合作客户的评估，将在今年上半年大规模投产出货，提供五年有限质保或者大数据量质保两种支持方式，并可选是否加密。